10 нм техпроцесс

Технологический процесс в электронной промышленности

Основная статья: Электронная промышленность Процессор Apple

Технологический процесс полупроводникового производства — технологический процесс изготовления полупроводниковых (п/п) изделий и материалов; состоит из последовательности технологических (обработка, сборка) и контрольных операций, часть производственного процесса производства п/п изделий (транзисторов, диодов и т. п.).

При производстве п/п интегральных микросхем применяется фотолитография и литографическое оборудование. Разрешающая способность (в мкм и нм) этого оборудования (т. н. проектные нормы) и определяет название применяемого конкретного технологического процесса.

Совершенствование технологии и пропорциональное уменьшение размеров п/п структур способствуют улучшению характеристик (размеры, энергопотребление, рабочие частоты, стоимость) полупроводниковых приборов (микросхем, процессоров, микроконтроллеров и т. д.). Особую значимость это имеет для процессорных ядер, в аспектах потребления электроэнергии и повышения производительности, поэтому ниже указаны процессоры (ядра) массового производства на данном техпроцессе.

Этапы технологического процесса при производстве микросхем

Пластина монокристаллического кремния с готовыми микросхемами Подробнее по этой теме см. Планарная технология.

Технологический процесс производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (микропроцессоров, модулей памяти и др.) включает нижеследующие операции.

  • Механическую обработку полупроводниковых пластин — получают пластины полупроводника со строго заданной геометрией, нужной кристаллографической ориентацией (не хуже ±5 %) и классом чистоты поверхности. Эти пластины в дальнейшем служат заготовками в производстве приборов или подложками для нанесения эпитаксиального слоя.
  • Химическую обработку (предшествующую всем термическим операциям) — удаление механически нарушенного слоя полупроводника и очистка поверхности пластины. Основные методы химической обработки: жидкостное и газовое травление, плазмохимические методы. Для получения на пластине рельефа (профилирование поверхности) в виде чередующихся выступов и впадин определённой геометрии, для вытравливания окон в маскирующих покрытиях, для проявления скрытого изображения в слое экспонированного фоторезиста, для удаления его заполимеризированных остатков, для получения контактных площадок и разводки в слое металлизации применяют химическую (электрохимическую) обработку.
  • Эпитаксиальное наращивание слоя полупроводника — осаждение атомов полупроводника на подложку, в результате чего на ней образуется слой, кристаллическая структура которого подобна структуре подложки. При этом подложка часто выполняет лишь функции механического носителя.
  • Получение маскирующего покрытия — для защиты слоя полупроводника от проникновения примесей на последующих операциях легирования. Чаще всего проводится путём окисления эпитаксиального слоя кремния в среде кислорода при высокой температуре.
  • Фотолитография — производится для образования рельефа в диэлектрической плёнке.
  • Введение электрически активных примесей в пластину для образования отдельных p- и n-областей — нужно для создания электрических переходов, изолирующих участков. Производится методом диффузии из твёрдых, жидких или газообразных источников, основными диффузантами в кремний являются фосфор и бор.

Термическая диффузия — направленное перемещение частиц вещества в сторону убывания их концентрации: определяется градиентом концентрации. Часто применяется для введения легирующих примесей в полупроводниковые пластины (или выращенные на них эпитаксиальные слои) для получения противоположного, по сравнению с исходным материалом, типа проводимости, либо элементов с более низким электрическим сопротивлением. Ионное легирование (применяемое при изготовлении полупроводниковых приборов с большой плотностью переходов, солнечных батарей и СВЧ-структур) определяется начальной кинетической энергией ионов в полупроводнике и выполняется в два этапа:

  1. в полупроводниковую пластину на вакуумной установке внедряют ионы
  2. производится отжиг при высокой температуре

В результате восстанавливается нарушенная структура полупроводника и ионы примеси занимают узлы кристаллической решётки.

  • Получение омических контактов и создание пассивных элементов на пластине — с помощью фотолитографической обработки в слое оксида, покрывающем области сформированных структур, над предварительно созданными сильно легированными областями n+- или p+-типа, которые обеспечивают низкое переходное сопротивление контакта, вскрывают окна. Затем, методом вакуумного напыления всю поверхность пластины покрывают слоем металла (металлизируют), излишек металла удаляют, оставив его только на местах контактных площадок и разводки. Полученные таким образом контакты, для улучшения адгезии материала контакта к поверхности и уменьшения переходного сопротивления, термически обрабатывают (операция вжигания). В случае напыления на материал оксида специальных сплавов получают пассивные тонкоплёночные элементы — резисторы, конденсаторы, индуктивности.
  • Добавление дополнительных слоёв металла (в современных процессах — около 10 слоёв), между слоями располагают диэлектрик (англ. inter-metal dielectric, IMD) со сквозными отверстиями.
  • Пассивация поверхности пластины. Перед контролем кристаллов необходимо очистить их внешнюю поверхность от различных загрязнений. Более удобной (в технологическом плане) является очистка пластин непосредственно после скрайбирования или резки диском, пока они ещё не разделены на кристаллы. Это целесообразно и потому, что крошки полупроводникового материала, образуемые при скрайбировании или надрезании пластин, потенциально являются причиной появления брака при разламывании их на кристаллы с образованием царапин при металлизации. Наиболее часто пластины очищают в деионизированной воде на установках гидромеханической (кистьевой) отмывки, а затем сушат на центрифуге, в термошкафу при температуре не более 60 °C или инфракрасным нагревом. На очищенной пластине определяются дефекты вносимые операцией скрайбирования и разламывания пластин на кристаллы, а также ранее проводимых операциях — фотолитографии, окислении, напылении, измерении (сколы и микротрещины на рабочей поверхности, царапины и другие повреждения металлизации, остатки оксида на контактных площадках, различные остаточные загрязнения в виде фоторезиста, лака, маркировочной краски и т. п.).
  • Тестирование неразрезанной пластины. Обычно это испытания зондовыми головками на установках автоматической разбраковки пластин. В момент касания зондами разбраковываемых структур измеряются электрические параметры. В процессе маркируются бракованные кристаллы, которые затем отбрасываются. Линейные размеры кристаллов обычно не контролируют, так как их высокая точность обеспечивается механической и электрохимической обработкой поверхности (толщина) и последующим скрайбированием (длина и ширина).
  • Разделение пластин на кристаллы — механически разделяет (разрезанием) пластину на отдельные кристаллы.
  • Сборка кристалла и последующие операции монтажа кристалла в корпус и герметизация — присоединение к кристаллу выводов и последующая упаковка в корпус, с последующей его герметизацией.
  • Электрические измерения и испытания — проводятся с целью отбраковки изделий, имеющих несоответствующие технической документации параметры. Иногда специально выпускаются микросхемы с «открытым» верхним пределом параметров, допускающих впоследствии работу в нештатных для остальных микросхем режимах повышенной нагрузки (см., например, Разгон компьютеров).
  • Выходной контроль (англ.), завершающий технологический цикл изготовления устройства весьма важная и сложная задача (так, для проверки всех комбинаций схемы, состоящей из 20 элементов с 75 (совокупно) входами, при использовании устройства, работающего по принципу функционального контроля со скоростью 104 проверок в секунду, потребуется 1019 лет!)
  • Маркировка, нанесение защитного покрытия, упаковка — завершающие операции перед отгрузкой готового изделия конечному потребителю.

Для выполнения требований электронной производственной гигиены строят особо чистые помещения («чистые комнаты»), в которых люди могут находиться только в специальной одежде

Технологии производства полупроводниковой продукции с субмикронными размерами элементов основана на чрезвычайно широком круге сложных физико-химических процессов: получение тонких плёнок термическим и ионно-плазменным распылением в вакууме, механическая обработка пластин производится по 14-му классу чистоты с отклонением от плоскостности не более 1 мкм, широко применяется ультразвук и лазерное излучение, используются отжиг в кислороде и водороде, рабочие температуры при плавлении металлов достигают более 1500 °C, при этом диффузионные печи поддерживают температуру с точностью 0,5 °C, широко применяются опасные химические элементы и соединения (например, белый фосфор).

Всё это обусловливает особые требования к производственной гигиене, так называемую «электронную гигиену», ведь в рабочей зоне обработки полупроводниковых пластин или на операциях сборки кристалла не должно быть более пяти пылинок размером 0,5 мкм в 1 л воздуха. Поэтому в чистых комнатах на фабриках по производству подобных изделий все работники обязаны носить специальные комбинезоны.. В рекламных материалах Intel спецодежда работников получила название bunny suit («костюм кролика») .

Техпроцессы 1970-х — 1980-х

Ранние техпроцессы, до стандартизации NTRS (National Technology Roadmap for Semiconductors) и ITRS, обозначались «xx мкм» (xx микрон), где xx сперва обозначало техническое разрешение литографического оборудования, затем стало обозначать длину затвора транзистора, полушаг линий металла (half pitch) и ширину линий металла. В 1970-х существовало несколько техпроцессов, в частности 10, 8, 6, 4, 3, 2 мкм; в среднем, каждые три года происходило уменьшение шага с коэффициентом 0,7

Прогресс миниатюризации и сравнение размеров техпроцесса с некоторыми микроскопическими объектами и длиной волны видимого света.

3 мкм

3 мкм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 1975 году Zilog (Z80) и в 1979 году Intel (Intel 8086). Соответствует линейному разрешению литографического оборудования, примерно равному 3 мкм.

1,5 мкм

1,5 мкм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому Intel в 1982 году. Соответствует линейному разрешению литографического оборудования, примерно равному 1,5 мкм.

  • Intel 80286

0,8 мкм

0,8 мкм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в конце 1980-х — начале 1990-х годов компаниями Intel и IBM.

  • Intel 80486 (1989 год)
  • MicroSPARC I (1992 год)
  • Первые Intel P5 Pentium на частотах 60 и 66 МГц (1993 год)

0,6-0,5 мкм

Техпроцесс, достигнутый производственными мощностями компаниями Intel и IBM в 1994—1995 годах.

  • 80486DX4 CPU (1994 год)
  • IBM/Motorola PowerPC 601, первый чип архитектуры PowerPC
  • Intel Pentium на частотах 75, 90 и 100 МГц
  • МЦСТ-R100 (1998 г., 0,5 мкм, 50 МГц)

Техпроцессы после середины 1990-х

Обозначения для техпроцессов, внедренных, начиная с середины 1990-х годов, были стандартизованы NTRS и ITRS и стали называться «Technology Node» или «Cycle». Реальные размеры затворов транзисторов логических схем стали несколько меньше, чем обозначено в названии техпроцессов 350 нм — 45 нм, благодаря внедрению технологий resist-pattern-thinning и resist ashing. С этих пор коммерческие названия техпроцессов перестали соответствовать длине затвора.

С переходом на следующий техпроцесс ITRS площадь, занимаемая стандартной ячейкой 1 бита памяти SRAM, в среднем уменьшалась вдвое. В период с 1995 по 2008 года такое удвоение плотности транзисторов происходило в среднем каждые 2 года.

350 нм (0,35 мкм)

350 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 1997 году ведущими компаниями-производителями микросхем, такими как Intel, IBM, и TSMC. Соответствует линейному разрешению литографического оборудования, примерно равному 0,35 мкм.

  • Intel Pentium MMX (P55)
  • Intel Pentium Pro
  • Pentium II (Klamath)
  • МЦСТ-R150 (2001 г., 150 МГц)

250 нм

250 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 1998 году ведущими компаниями-производителями микросхем. Соответствует линейному разрешению литографического оборудования, примерно равному 0,25 мкм.

Используется до 6 слоёв металла, минимальное количество литографических масок 22.

  • Pentium II (Deschutes)
  • Pentium III (Katmai)

180 нм

180 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 1999 году ведущими компаниями-производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения по отношению к предыдущему техпроцессу 0,25 мкм.

Содержит до 6-7 слоёв металла. Минимальное количество литографических масок около 22.

  • AMD Athlon XP (Palomino)
  • Intel Pentium III (Coppermine)

130 нм

130 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 2001 году ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 0,18 мкм.

Техпроцессы менее 100 нм

Для обозначения более тонких техпроцессов разные технологические альянсы могут следовать различным рекомендациям (Foundry/IDM). В частности, TSMC использует обозначения 40 нм, 28 нм и 20 нм для техпроцессов, сходных по плотности с процессами Intel 45 нм, 32 нм и 22 нм соответственно.

90 нм

90 нм — техпроцесс, соответствующий уровню полупроводниковой технологии, которая была достигнута к 2002—2003 годам. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 0,13 мкм.

Технологический процесс с проектной нормой 90 нм часто используется с технологиями напряженного кремния, медных соединений с меньшим сопротивлением, чем у ранее применяемого алюминия, а также c новыми диэлектрическими материалами с низкой диэлектрической проницаемостью.

  • Intel Pentium 4 (Prescott)
  • МЦСТ-4R (готовится к выпуску, 4 ядра, 1 ГГц)
  • AMD Turion 64 X2 (мобильный)
  • Эльбрус-S — 2010

65 нм

65 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2004 году ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 90 нм.

45 нм / 40 нм

45 нм и 40 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2006—2007 годам ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 65 нм.

Для микроэлектронной промышленности стал революционным, так как это был первый техпроцесс, использующий технологию high-k/metal gate (HfSiON/TaN в технологии компании Intel), для замены физически себя исчерпавших SiO2/poly-Si

32 нм / 28 нм

32 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2010 годам ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 45 нм.

Осенью 2009 компания Intel находилась на этапе перехода к этому новому техпроцессу. С начала 2011 начали производиться процессоры по данному техпроцессу.

В третьем квартале 2010 года на новых мощностях расположенной на Тайване фабрики Fab 12 компании TSMC начался серийный выпуск продукции по технологии, получившей маркетинговое обозначение «28-нанометров» (не является обозначением, рекомендуемым ITRS).

  • Intel Sandy Bridge
  • Intel Saltwell
  • AMD Bulldozer
  • AMD Piledriver (англ.)русск. (второе поколение Bulldozer)
  • APU от AMD: Llano и Trinity (второе поколение AMD APU)
  • Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm.
  • Мобильные процессоры Apple A7, изготовляемые Samsung.
  • AMD Steamroller (третье поколение Bulldozer — 2014)
  • Baikal-T1 — 2015
  • Эльбрус-8С (восьмиядерный процессор серверного класса с архитектурой «Эльбрус» — 2015)

В мае 2011 по технологии 28 нм фирмой Altera была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд транзисторов.

22 нм / 20 нм

22 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2012 гг. ведущими компаниями — производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 32 нм.

22-нм элементы формируются путём фотолитографии, в которой маска экспонируется светом с длиной волны 193 нм.

В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти SRAM, выполненную по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа FinFET, которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии high-k/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм).

Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм², созданной по техпроцессу 22 нм, объявили IBM и AMD
Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году. 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.

По такой технологии производятся (с начала 2012 года):

  • Intel Ivy Bridge / Ivy Bridge-E
  • Intel Haswell (последователь Ivy Bridge, со встроенным GPU).
  • Intel Bay Trail-M (мобильные Pentium и Celeron на микроархитектуре Silvermont; сентябрь 2013)

14 нм / 16 нм FinFET

Основная статья: 14 нанометров

В другом языковом разделе есть более полная статья Multigate device (англ.). Вы можете помочь проекту, расширив текущую статью с помощью перевода.
При этом, для соблюдения правил атрибуции, следует установить шаблон {{переведённая статья}} на страницу обсуждения, либо указать ссылку на статью-источник в комментарии к правке.

По состоянию на май 2014, компания Samsung продолжала разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP; а выпускать процессоры для Apple планирует в 2015 году.

По состоянию на сентябрь 2014, TSMC продолжала разработку 16-нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (Fin Field Effect Transistor, FinFET) и планировала начать 16-нм производство в 1 квартале 2015 года.

Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel, уменьшение техпроцесса до 14 нм изначально ожидалось через год после представления чипа Haswell (2013); процессоры на новом техпроцессе будут использовать архитектуру с названием Broadwell. Для критических слоёв техпроцесса 14 нм Intel потребовалось применение масок с технологией Inverse Lithography (ILT) и SMO (Source Mask Optimization)

  • процессоры Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell) — начало продаж апрель 2015
  • Coffee Lake — десктопные процессоры от Интел (24 сентября 2017)
  • AMD Ryzen — десктопные процессоры от AMD (2017)
  • Мобильные процессоры Apple A10

Компания МЦСТ к 2020 году планирует выпускать 14-нм процессор Эльбрус-32С.

В апреле 2018 года AMD представила процессоры Zen+ на улучшенном 14-нм техпроцессе, условно обозначенном как «12 нм»:

  • Ryzen 5 2600 и 2600X
  • Ryzen 7 2700 и 2700X

10 нм

Тайваньский производитель United Microelectronics Corporation (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10-нм CMOS-техпроцесса.

В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию 10-нм техпроцесса к 2018 году, в октябре 2017 Intel сообщил о планах начать производство до конца 2017 года.

Пробный выпуск продукции по нормам 10 нм намечался компанией TSMC на 2015 год, а серийный — на 2016.

В начале 2017 года выпуск 10 нм составлял около 1% от продукции TSMC

Samsung запустил 10-нм производство в 2017 году

  • Apple A11 Bionic — 64-битный шестиядерный процессор для iPhone 8 (2017).
  • Cannon Lake — первое поколение нескольких моделей 10-нм мобильных процессоров Intel с отключенным графическим ядром.
  • Ice Lake — второе поколение 10-нм процессоров Intel.
  • Snapdragon 835.
  • Snapdragon 845.

7 нм

В 2018 году на фабриках TSMC началось производство мобильных процессоров Apple A12, Kirin 980 а также Snapdragon 855. Производство 7-нм процессоров на архитектуре x86 задерживается, первые образцы на данной архитектуре появляются не раньше 2019 года. Согласно интернет-изданию Russian Tom’s Hardware Guide, с помощью первого поколения 7-нм техпроцесса TSMC может разместить 66 миллионов транзисторов на квадратном миллиметре, в то же время с помощью 10-нм техпроцесса Intel может разместить на аналогичной площади 100 миллионов транзисторов.

  • Apple A12X (с 2018)
  • Zen 2 (микроархитектура) от AMD
    • серверные процессоры Epyc; ожидаются в 2019 году
    • десктопные процессоры Matisse; ожидаются в 2019 году
    • графический ускоритель Vega от AMD
  • Snapdragon 855
  • Kirin 980

6 нм

16 апреля 2019 года компания TSMC анонсировала освоение технологического процесса 6-нм в рисковом производстве, что позволяет повысить плотность упаковки элементов микросхем на 18 %, данный техпроцесс является более дешевой альтернативной техпроцессу 5 нм, он позволяет легко масштабировать топологии, разработанные для 7 нм.

5 нм

В первой половине 2019 года компания TSMC начала рисковое производство чипов по 5-нм техпроцессу. Переход на эту технологию позволяет повысить плотность упаковки электронных компонентов на 80 % и повысить быстродействие на 15 % .

Ближайшие прогнозы

В мае 2017 года AMD, в ходе Financial Analyst Day, анонсировало переход на второе поколение 7-нм технологии в 2020 году.

Samsung в марте 2017 года презентовал дорожную карту по выпуску процессоров по 7- и 5-нм технологиям. В ходе презентации вице-президент Samsung по технологии Хо-Кью Кан отметил, что многие производители столкнулись с проблемой при разработке технологий меньше 10 нм. Однако Samsung справилась с задачей, ключом к которой стало использование полевого транзистора с «кольцевым» затвором (GAAFET). Эти транзисторы позволят компании продолжить уменьшать элементы до размера 7 и 5 нм. Для изготовления пластин компания применит технологию экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV).

3 нм

Исследовательский центр imec (Бельгия) и компания Cadence Design Systems создали технологию и выпустили первые пробные образцы микропроцессоров по технологии 3 нм.

Samsung к 2021 году намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием технологии GAAFET.

Примечания

  1. В качестве средств индивидуальной защиты применяют спецодежду, изготовленную из металлизированной ткани (комбинезоны, халаты, передники, куртки с капюшонами и вмонтированными в них защитными очками)

    — Городилин В. М., Городилин В. В. § 21. Излучения, их действия на окружающую среду и меры борьбы за экологию. // Регулировка радиоаппаратуры. — Издание четвёртое, исправленное и дополненное. — М.: Высшая школа, 1992. — С. 79. — ISBN 5-06-000881-9.

  2. Миниатюрность и чистота
  3. Intel Museum — From Sand to Circuits
  4. 1 2 3 H. Iwai. Roadmap for 22 nm and beyond (англ.) // Microelectronic Engineering. — Elsevier, 2009. — Vol. 86, iss. 7-9. — P. 1520–1528. — DOI:10.1016/j.mee.2009.03.129. Архивировано 23 сентября 2015 года.; slides
  5. What does ’45-nm’ mean, anyway? // EDN, October 22, 2007 «The result was that by about 350 nm (actually called 0.35 micron in those days), the «350 nm» had become simply the name of the process rather than a measure of any physical dimension. »
  6. 1 2 3 4 5 Semiconductor Design Technology and System Drivers Roadmap: Process and Status — Part 3, 2013: «ITRS MPU driver model ..scaled the number of logic transistors .. by 2× per technology node. Since dimensions shrink by 0,7× per node, and nominal layout density therefore doubles, this simple scaling model allows die size to remain constant across technology nodes.»
  7. Scotten Jones. Who Will Lead at 10nm?, SemiWiki (29 сентября 2014). Дата обращения 27 октября 2015.
  8. PRESS KIT — First 45nm Chips: Eco-Friendly. Faster. ‘Cooler’.
  9. Intel Demonstrates High-k + Metal Gate Transistor Breakthrough on 45 nm Microprocessors
  10. Intel 32nm Logic Technology (англ.)
  11. процессоры Intel по 32-нм технологии
  12. New Details on Intel’s Upcoming 32nm Logic Technology (англ.)
  13. White Paper Introduction to Intel’s 32nm Process Technology (англ.)
  14. High Performance 32nm Logic Technology Featuring 2nd Generation High-k + Metal Gate Transistors
  15. TSMC преодолела сложности 40-нанометровой технологии и в этом году начнет выпуск по нормам 28 нм
  16. AMD исправляет минусы Bulldozer в архитектуре Steamroller
  17. Новая архитектура AMD «Steamroller» в 2014? // 3.01.2013
  18. МЦСТ. Новый 8-ядерный микропроцессор Эльбрус-8С.
  19. Восьмиядерный микропроцессор с архитектурой Эльбрус (недоступная ссылка). Архивировано 25 июня 2014 года.
  20. Корпорация Altera установила новый отраслевой рекорд — Программируемая вентильная матрица (FPGA) Stratix V (недоступная ссылка)
  21. Новости с прошедшего с 22 по 24 сентября в Сан-Франциско Форума Intel для разработчиков (Intel Developer Forum, IDF)
  22. The Rosetta Stone of Lithography, 2013-11-20, по материалам Lars Leibmann, The Escalating Design Impact of Resolution-Challenged Lithography. ICCAD 2013
  23. IBM, AMD и Toshiba продемонстрировали первую 22-нм ячейку памяти SRAM
  24. IBM и AMD продемонстрируют 22 нм ячейку памяти
  25. Intel Developer Forum 22nm News Facts
  26. // digitimes.com
  27. Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм. Архивировано 5 июля 2017 года. // iXBT.com
  28. TSMC начнёт 16 нм производство в 1 квартале 2015 года // nvworld.ru
  29. V. Singh. EUV: The Computational Landscape EUVL Workshop, 2014 «ILT+SMO are used to sharpen the image of critical masks for 14nm and 10nm nodes»
  30. Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell) // itc.ua, 1.04.2015
  31. «Российские технологии «Эльбрус» для персональных компьютеров, серверов и суперкомпьютеров».
  32. UMC присоединится к IBM в разработке 10-нм техпроцесса
  33. Просочившийся слайд Intel указывает на 10-нм техпроцесс в 2018 году // 3DNews
  34. 10-нанометровые процессоры Intel все же появятся в этом году, но в очень ограниченном количестве // IXBT.com, окт 2017
  35. В будущем году TSMC планирует начать пробный, а в 2016 году — серийный выпуск продукции по нормам 10 нм // IXBT.com
  36. // eetimes.com
  37. // eetimes.com
  38. 10-нанометровые процессоры Intel Ice Lake могут задержаться до 2020 года (тот факт, что у Intel не срослось с 10-нанометровым техпроцессом, уже давно не является секретом) // IXBT.com, 18 сентября 2018
  39. Технические характеристики Snapdragon 845 | AndroidLime (рус.) (неопр.) ?. androidlime.ru. Дата обращения 23 мая 2018.
  40. Началось производство процессоров Apple A12 для новых iPhone (рус.), Wylsacom (23 мая 2018). Дата обращения 1 августа 2018.
  41. Huawei запустила производство процессора Kirin 980 для Mate 20, P30 и других смартфонов (рус.), AKKet (8 апреля 2018). Дата обращения 1 августа 2018.
  42. Snapdragon 855 запущен в массовое производство (рус.), android-1.com. Дата обращения 1 августа 2018.
  43. AMD Ryzen 3000: всё, что вам нужно знать о ЦП нового поколения. «THG.ru» (5 февраля 2019). Дата обращения 7 марта 2019. Архивировано 7 марта 2019 года.
  44. AMD: первые такие CPU выйдут только в следующем году // IXBT.com, ноя 2018
  45. TSMC Unveils 6-nanometer Process (англ.). TSMC. Дата обращения 18 апреля 2019.
  46. TSMC завершила разработку 5-нм техпроцесса — началось рисковое производство. 3DNews — Daily Digital Digest. Дата обращения 10 апреля 2019.
  47. TSMC and OIP Ecosystem Partners Deliver Industry’s First Complete Design Infrastructure for 5nm Process Technology (англ.). TSMC. Дата обращения 18 апреля 2019.
  48. AMD Navi GPU is based on 7nm process
  49. Samsung ramping up to 7nm next year
  50. Imec and Cadence Tape Out Industry’s First 3nm Test Chip
  51. Samsung планирует начать массовое производство по 3-нм техпроцессу в 2021 году. 3DNews — Daily Digital Digest. Дата обращения 10 апреля 2019.
  52. Samsung Plans Mass Production of 3nm GAAFET Chips in 2021 (англ.). Tom’s Hardware (11 January 2019). Дата обращения 18 января 2019.

Каталог продукции

  • Фотоэлектронные умножители
    • Фотоэлектронные умножители
      • Фотоэлектронные умножители ADIT
      • Фотоэлектронные умножители ET Enterprises
    • Модули ФЭУ
    • Комплектующие для фотоэлектронных умножителей
  • Кремниевые фотоумножители
    • Кремниевые фотоумножители
    • Матрицы кремниевых фотоумножителей
    • Электроника для матриц SiPM
      • Интерфейсные модули
      • Многоканальные АЦП модули
      • Платы считывания
  • Сцинтилляционные детекторы
    • Неорганические сцинтилляторы
    • Органические сцинтилляторы
    • Сцинтилляционные детекторы
    • Газонаполненные детекторы
    • Сцинтилляторы для ядерной медицины
    • Сцинтилляторы для геофизики
  • Детекторы рентгеновского излучения
    • Фотодиодные линейки
    • Фотодиодные КМОП матрицы
    • Сканирующие модули
    • Плоскопанельные детекторы
    • Позиционно-чувствительные детекторы
  • Детекторы для счета фотонов
    • SPAD детекторы для счета фотонов
    • Настольные модули счета фотонов
    • Детекторы для счета фотонов на основе ФЭУ
    • Электроника для счета фотонов
      • TCSPC платы счета фотонов
      • Настольные TCSPC системы
      • FLIM системы для микроскопов
      • Счетчики фотонов
      • Дополнительная электроника
        • Маршрутизаторы
        • Усилители сигналов
        • Экспериментальная электроника
        • Электроника для детекторов счета фотонов
  • Инфракрасные детекторы
    • Пироэлектрические датчики
    • Термопарные детекторы
      • Термопарные датчики
      • Модули термопарных датчиков
      • Термопарные матрицы
    • Детекторы HgCdTe-MCT
      • Детекторы HgCdTe-MCT от Infared Associates
      • Детекторы HgCdTe-MCT от VIGO System
        • Фотогальванические HgCdTe-MCT детекторы
        • Фотоэлектромагнитные HgCdTe-MCT детекторы
        • Фоторезистивные HgCdTe-MCT детекторы
        • Квадрантные MCT детекторы
        • TEC контроллеры для HgCdTe-MCT детекторов
        • Предусилители для HgCdTe-MCT детекторов
        • Источники питания для HgCdTe-MCT детекторов
    • Детекторы InAsSb и InAs
    • Детекторы InSb
    • Детекторы InGaAs
    • Детекторы PbS и PbSe
  • Фотодиоды
    • Si фотодиоды
      • Универсальные фотодиоды
      • Высокоскоростные фотодиоды
      • УФ фотодиоды
      • Рентгеновские фотодиоды
      • Nd-YAG чувствительные фотодиоды
      • Двухцветные фотодиоды
      • Многоэлементные фотодиоды
      • Позиционно-чувствительные фотодиоды
      • Фотодиодные чипы для пайки
      • Фотодиоды в пластиковом корпусе
      • Фотодиоды с обратной засветкой в SMT корпусе
      • Фотодиоды с оптическими фильтрами
      • Фотодиоды с усилителями
    • GaAs фотодиоды
    • InGaAs фотодиоды
    • Лавинные фотодиоды
    • Сверхбыстрые фотодиоды
    • Ультрафиолетовые фотодиоды
    • Фотодиодные модули
  • Измерительная электроника
    • Усилители
      • Усилители тока
      • Усилители напряжения
      • Широкополосные усилители
      • Синхронные усилители
    • Фотоприемники
    • Анализаторы импульсов
    • Измерительное оборудование Stanford Research Systems
      • Генераторы
        • Генераторы задержки
        • Тактовый генератор
      • Источники тока / питания
      • Контроллеры
      • Модульные системы
        • Модульные NIM системы
        • Модульные SIM системы
      • Оптические приборы
      • Приборы для сигналов звукового диапазона
      • Счетчик фотонов
      • Усилители
        • Синхронные усилители
        • Предусилители
    • Интерфейсные платы
      • Интерфейсные платы для кремниевых фотоумножителей
      • Интерфейсные платы для лавинных фотодиодов
      • Интерфейсные платы для матричных многоанодных ФЭУ
      • Интерфейсные платы для многоанодных линейных ФЭУ
    • Многоканальные системы сбора данных
    • Многоканальные системы счета фотонов
  • Измерители мощности и энергии лазера
    • Детекторы энергии
    • Детекторы мощности
    • Детекторы высокой мощности
    • Фотодетекторы
    • Измерительные приборы
    • ТГц детекторы
    • Профилометры
    • Специализированные приборы
  • Управление лазерным излучением
    • Пространственные модуляторы
    • Задание формы луча
    • Управление диаметром луча
  • Лазеры
    • DPSS лазеры Cobolt
      • Одночастотные DPSS лазеры
      • Лазеры с узкой шириной линии
      • Малошумящие DPSS лазеры
      • Импульсные DPSS лазеры
      • Модификации DPSS лазеров
    • Диодные лазеры
      • Миниатюрные диодные лазеры
      • Компактные диодные лазеры
      • Пикосекундные диодные лазеры
      • Модулируемые диодные лазеры
      • Многоволновые диодные лазеры
      • Драйверы пикосекундных диодных лазеров
    • DPSS и диодные лазеры
      • DPSS и диодные лазеры УФ спектра (261-400 нм)
        • Длина волны 261 нм
        • Длина волны 266 нм
        • Длина волны 303 нм
        • Длина волны 320 нм
        • Длина волны 349 нм
        • Длина волны 351 нм
        • Длина волны 355 нм
        • Длина волны 360 нм
        • Длина волны 375 нм
        • Длина волны 395 нм
        • Длина волны 397 нм
        • Длина волны 400 нм
      • DPSS и диодные лазеры синего спектра (405-491 нм)
        • Длина волны 405 нм
        • Длина волны 410 нм
        • Длина волны 415 нм
        • Длина волны 435 нм
        • Длина волны 442 нм
        • Длина волны 445 нм
        • Длина волны 447 нм
        • Длина волны 450 нм
        • Длина волны 454 нм
        • Длина волны 457 нм
        • Длина волны 460 нм
        • Длина волны 462 нм
        • Длина волны 465 нм
        • Длина волны 473 нм
        • Длина волны 480 нм
        • Длина волны 488 нм
        • Длина волны 491 нм
      • DPSS и диодные лазеры зеленого спектра (500-577 нм)
        • Длина волны 510 нм
        • Длина волны 514 нм
        • Длина волны 515 нм
        • Длина волны 520 нм
        • Длина волны 522 нм
        • Длина волны 523 нм
        • Длина волны 526 нм
        • Длина волны 532 нм
          • Лазеры с высокой стабильностью выходной мощности
          • Лазеры с модуляцией добротности
          • Лазеры с низким уровнем шума
          • Лазеры с одиночной продольной модой
          • Лазеры с синхронизацией мод
        • Длина волны 543 нм
        • Длина волны 550 нм
        • Длина волны 552 нм
        • Длина волны 556 нм
        • Длина волны 561 нм
        • Длина волны 577 нм
      • DPSS и диодные лазеры красного спектра (589-760 нм)
        • Длина волны 589 нм
        • Длина волны 671 нм
      • DPSS и диодные лазеры ИК спектра (760-4800 нм)
        • Длина волны 760 нм
        • Длина волны 860 нм
    • Фемтосекундные волоконные лазеры
    • Терагерцовые лазеры
    • Квантовые каскадные лазеры
    • Перестраиваемые лазеры
      • Оптические усилители
      • Перестраиваемые лазеры
      • Оптические параметрические генераторы
    • Импульсные Nd:YAG лазеры
      • Портативные импульсные Nd:YAG лазеры
      • Компактные Nd:YAG лазеры
      • Компактные Nd:YAG лазеры высокой мощности
      • Nd:YAG лазеры высокой мощности
      • Nd:YAG лазеры для PIV визуализации
      • Импульсные лазерные системы на основе ОПГ
      • Модулируемые Nd:YAG и Nd:YLF лазеры с диодной накачкой
    • VBG лазеры
    • Дополнительные комплектующие для лазеров
  • Лазерные диоды и модули
    • Лазерные диоды
      • Непрерывные лазерные диоды
      • Импульсные лазерные диоды
      • VCSEL лазерные диоды
      • Стабилизированные лазерные диоды
      • Квантово-каскадные лазерные диоды
    • DFB лазерные источники
    • Лазерные источники Фабри-Перо
    • Лазерные источники с внешним резонатором
    • Лазерные модули
      • Промышленное применение
      • Машинное видение
      • ОЕМ применение
    • Мощные лазерные диоды с волоконным выходом
    • Драйверы для лазерных диодов
      • Драйверы с фиксированной длительностью импульса
      • Драйверы с регулируемой длительностью импульса
      • Драйверы для непрерывного режима работы
      • Дополнительные комплектующие для драйверов
  • Источники света
    • Инфракрасные излучатели
    • Источники света для биофотоники и оптогенетики
    • Контроллеры для светодиодных осветителей
    • Ламповые источники света
      • Ксеноновые лампы
      • Симуляторы солнечного света
      • Галогенные лампы
      • Дополнительные комплектующие
    • Светодиодные источники
    • Ультрафиолетовые светодиоды
  • КМОП и ПЗС камеры
    • Высокоскоростные камеры
      • Камеры с интерфейсом Camera Link
      • Камеры с интерфейсом Gigabit Ethernet
        • КМОП камеры
        • ПЗС камеры
          • GimaGO
          • GimaGO easy
      • Камеры с интерфейсом IEEE 1394
        • КМОП камеры
        • ПЗС камеры
      • Камеры с интерфейсом PCI-E
      • Камеры с интерфейсом Thunderbolt
    • Гиперспектральные камеры
      • Камеры для БПЛА
      • Камеры общего назначения
      • Портативные камеры
      • Системы для геологии
      • Спектрографы
    • КМОП камеры
      • КМОП камеры USB2.0
        • Камеры Mightex
          • Цветное изображение
          • Черно-белое изображение
        • Камеры NET
          • Бескорпусные КМОП камеры USB2.0
          • Корпусированные КМОП камеры USB2.0
      • КМОП камеры USB3.0
        • Камеры NET GmbH
          • Бескорпусные камеры
          • Корпусированные камеры
        • Камеры Ximea
          • Бескорпусные КМОП камеры USB3.0
          • Корпусированные КМОП камеры USB3.0
      • КМОП камеры USB3.1
        • Цветные камеры
        • Черно-белые камеры
    • Микроформатные камеры
    • Научные камеры
      • sCMOS камеры
        • sCMOS камеры Andor
        • sCMOS камеры XIMEA
      • CCD камеры
        • Камеры серии Clara
        • Камеры серии iKon
      • ПЗС камеры для спектроскопии
      • Камеры для астрофизики
      • Рентгеновские ПЗС камеры
      • EMCCD камеры
        • EMCCD камеры Andor
        • EMCCD камеры Nüvü
          • EM N2 EMCCD камеры
          • HNü EMCCD камеры
      • Бескорпусные ПЗС камеры
      • Охлаждаемые ПЗС камеры
        • ПЗС камеры с USB 3.1 интерфейсом
        • ПЗС камеры с IEEE1394 Firewire интерфейсом
      • Неохлаждаемые ПЗС камеры
    • Объективы для камер
    • ПЗС камеры
      • ПЗС камеры USB2.0
        • Цветное изображение
        • Черно-белое изображение
      • ПЗС камеры USB3.0
        • Бескорпусные ПЗС камеры USB3.0
        • Корпусированные ПЗС камеры USB3.0
    • Сканирующие камеры
      • Линейное сканирование
        • ПЗС камеры
          • Camera Link / GigE интерфейс
          • USB2.0 интерфейс
        • КМОП камеры
          • Gigabit Ethernet / CXP интерфейс
          • Camera Link Base интерфейс
          • Camera Link Medium интерфейс
          • Camera Link Full интерфейс
      • Пространственное сканирование
  • Волоконная оптика
    • Оптические волокна
      • Одномодовые оптические волокна
        • Волокна нечувствительные к изгибам
        • Волокна с акрилатовым покрытием
        • Волокна с беспримесной сердцевиной
        • Волокна с полиимидным покрытием
        • Одномодовые соединительные кабели
      • Многомодовые оптические волокна
        • Градиентные волокна нечувствительные к изгибам
        • Градиентные волокна с двойным покрытием
        • Градиентные волокна с полиимидным покрытием
        • Ступенчатые оптические волокна
      • Оптические волокна с сохранением поляризации
      • Легированные оптические волокна
      • Фоточувствительные оптические волокна
    • Оптоволоконные кабели
    • Оптоволоконные жгуты
    • Волоконные соединители
  • Акустооптика
  • Оптика
    • Оптические элементы
      • Оптические фильтры
        • Полосовые фильтры
          • Режекторные (notch) фильтры
          • Многополосные фильтры
          • Однополосные фильтры
          • Поляризационные фильтры
        • Краевые фильтры
        • Фильтры лазерного излучения
        • ИК фильтры (1 — 20 мкм)
          • Фильтры NOC (1 — 20 мкм)
        • Дихроичные фильтры
        • Наборы фильтров
      • Дифракционная оптика
      • Зеркала
      • Защитные окна для лазеров
      • Оптические линзы
      • Оптические призмы
    • Оптические кристаллы
      • Нелинейные кристаллы
      • MgO:PPLN кристаллы
        • Кристаллы для ГВГ
        • Кристаллы для ГРЧ
        • Кристаллы для ГСЧ
        • Кристаллы для ОПГ
      • Дополнительное оборудование
      • Лазерные кристаллы
      • Двулучепреломляющие кристаллы
      • Электрооптические кристаллы
    • Оптика на Брэгговских решетках
    • Коллимирующая оптика
    • Уголковые отражатели
  • Оптомеханика
    • Оптомеханика SmarAct
      • Линейные трансляторы
      • Вращающиеся платформы
      • Гониометры
      • Гексаподы
      • Микрозахваты
      • Оптомеханические элементы
        • Колеса для фильтров
        • Держатели оптики
        • Ирисовые диафрагмы
      • Контроллеры систем позиционирования
    • Оптомеханика Piezosystem
      • Линейные трансляторы
        • Одноосные трансляторы
        • Высокоскоростные трансляторы
        • Двухосные трансляторы
        • Многоосные трансляторы
      • Позиционирование оптики
      • Контроллеры
    • Оптомеханика 3DOptix
      • Рамы BreadBox™
        • Пол / потолок каркаса
        • Стены каркаса
        • Расширение каркаса
      • Оптомеханические компоненты
        • Держатели оптики
        • Адаптеры
        • Винты и штифты
      • Наборы основных элементов
      • Готовые решения
  • Спектрометры
    • Миниатюрные спектрометры
    • ПЗС-спектрометры
    • Спектрометрические модули